反向传输电容(Crss):4.1pF,导通电阻(RDS(on)):73mΩ,栅极电荷量(Qg):19nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):130W,输入电容(Ciss):669pF,输出电容(Coss):65pF,连续漏极电流(Id):32.8A,阈值电压(Vgs(th)):5.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 输入电容(Ciss) | 669pF | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 32.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥49.48/个 |
| 10+ | ¥42.47/个 |
| 30+ | ¥38.2/个 |
| 90+ | ¥34.61/个 |
| 92+ | ¥34.61/个 |
| 94+ | ¥34.61/个 |
整盘
单价
整盘单价¥35.144
30 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉91.68元