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SIR836DP-T1-GE3-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SIR836DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C4355147
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 商品毛重
- 0.00014千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):670pF,导通电阻(RDS(on)):0.005Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.006Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):67nC@10V,栅极电荷量(Qg):57.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):6.15W,输入电容(Ciss):1195pF,输出电容(Coss):975pF,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 670pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.005Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.006Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 6.15W | |
| 输入电容(Ciss) | 1195pF | |
| 输出电容(Coss) | 975pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.817/个 |
| 10+ | ¥3.417/个 |
| 30+ | ¥3.213/个 |
| 100+ | ¥3.009/个 |
| 500+ | ¥2.61/个 |
| 1000+ | ¥2.55/个 |
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