反向传输电容(Crss):22pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.81Ω@10V,2.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):54W,输入电容(Ciss):600pF@25V,连续漏极电流(Id):4.6A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 22pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.81Ω@10V,2.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 54W | |
输入电容(Ciss) | 600pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.42/个 |
10+ | ¥5.28/个 |
30+ | ¥4.65/个 |
100+ | ¥3.94/个 |
500+ | ¥3.63/个 |
1000+ | ¥3.49/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.355
2500 PCS/盘
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