上升时间(tr):80ns,下降时间(tf):30ns,工作电压:-,工作电压:10V~18V,特性:欠压保护(UVP),负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输出电流:-,静态电流(Iq):160uA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 电机驱动芯片 | |
上升时间(tr) | 80ns | |
下降时间(tf) | 30ns | |
工作电压 | - | |
工作电压 | 10V~18V | |
特性 | 欠压保护(UVP) | |
负载类型 | IGBT | |
负载类型 | MOSFET | |
输出电流 | - | |
静态电流(Iq) | 160uA | |
驱动通道数 | 2 | |
驱动配置 | 半桥 |