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LNE10N65
扩展库- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 厂家型号
- LNE10N65
- 商品编号
- C439226
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.00224千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
导通电阻(RDS(on)):1Ω@10V,5A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):130W,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,5A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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|---|---|
| 1+ | ¥5.46/个 |
| 10+ | ¥4.31/个 |
| 30+ | ¥3.74/个 |
| 100+ | ¥3.17/个 |
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