导通电阻(RDS(on)):1.4Ω@10V,3.5A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):39W,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,3.5A | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 39W | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥1.984/个 |
10+ | ¥1.244/个 |
50+ | ¥0.775/个 |
100+ | ¥0.674/个 |
500+ | ¥0.614/个 |
1000+ | ¥0.583/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.775
50 PCS/盘