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LND7N65D
扩展库- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 厂家型号
- LND7N65D
- 商品编号
- C439231
- 商品封装
- TO-220F
- 商品毛重
- 0.0024千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
导通电阻(RDS(on)):1.4Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):20.7nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):39W,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.353/个 |
| 10+ | ¥0.732/个 |
| 50+ | ¥0.323/个 |
| 100+ | ¥0.281/个 |
| 500+ | ¥0.256/个 |
| 1000+ | ¥0.243/个 |
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整盘单价¥0.323
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库存总量
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