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STD2HNK60Z-1
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STD2HNK60Z-1
- 商品编号
- C44206
- 商品封装
- IPAK
- 商品毛重
- 0.0013千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):4.8Ω@10V,1A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):45W,输入电容(Ciss):280pF@25V,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8Ω@10V,1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
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|---|---|
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| 10+ | ¥8.1/个 |
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| 100+ | ¥7.86/个 |
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