反向传输电容(Crss):17pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.2nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):235pF,连续漏极电流(Id):3.3A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 17pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 0.35W | |
输入电容(Ciss) | 235pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.24/个 |
200+ | ¥0.193/个 |
600+ | ¥0.166/个 |
3000+ | ¥0.126/个 |
9000+ | ¥0.112/个 |
21000+ | ¥0.105/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.11592
3000 PCS/盘
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