射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):6MHz,直流电流增益(hFE):82@0.5A,3V,耗散功率(Pd):15W,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1V@2A,0.2A,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):3A
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 6MHz | |
直流电流增益(hFE) | 82@0.5A,3V | |
耗散功率(Pd) | 15W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@2A,0.2A | |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
集电极电流(Ic) | 3A |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥1.758/个 |
50+ | ¥1.548/个 |
150+ | ¥1.458/个 |
500+ | ¥1.15/个 |
2500+ | ¥1.1/个 |
5000+ | ¥1.07/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0599
2500 PCS/盘
嘉立创补贴3.65%
一盘能省掉100.25元