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IPI045N10N3 G
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPI045N10N3 G
- 商品编号
- C445495
- 商品封装
- TO-262-3
- 商品毛重
- 0.0016千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):41pF,导通电阻(RDS(on)):3.9mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):88nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):214W,输入电容(Ciss):6320pF,输出电容(Coss):1210pF,连续漏极电流(Id):137A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 输入电容(Ciss) | 6320pF | |
| 输出电容(Coss) | 1210pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 137A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥12.8/个 |
| 10+ | ¥12.504/个 |
| 50+ | ¥12.304/个 |
| 100+ | ¥12.104/个 |
| 102+ | ¥12.104/个 |
| 104+ | ¥12.104/个 |
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整盘
单价
整盘单价¥12.304
50 PCS/盘
库存总量
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