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TPS1120DR
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- TPS1120DR
- 商品编号
- C44654
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000104千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):180mΩ@10V,1.5A,工作温度:-40℃~+150℃@(Tj),数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):5.45nC@10V,漏源电压(Vdss):15V,耗散功率(Pd):840mW,连续漏极电流(Id):1.17A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,1.5A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.45nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 耗散功率(Pd) | 840mW | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.17A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥14.94/个 |
| 10+ | ¥12.66/个 |
| 30+ | ¥11.23/个 |
| 100+ | ¥9.06/个 |
| 500+ | ¥8.4/个 |
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