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SI7148DP-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI7148DP-T1-GE3
- 商品编号
- C44702
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 商品毛重
- 0.000131千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):196pF@35V,导通电阻(RDS(on)):0.011Ω@10V,28A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):33nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,耗散功率(Pd):5.4W,耗散功率(Pd):96W,输入电容(Ciss):2900pF@35V,连续漏极电流(Id):28A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 196pF@35V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.011Ω@10V,28A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.4W | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 输入电容(Ciss) | 2900pF@35V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥23.34/个 |
| 10+ | ¥20.02/个 |
| 30+ | ¥18.05/个 |
| 100+ | ¥16.05/个 |
| 500+ | ¥15.13/个 |
| 1000+ | ¥14.72/个 |
| 3000+ | ¥14.53/个 |
| 3002+ | ¥14.53/个 |
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