反向传输电容(Crss):95pF@15V,导通电阻(RDS(on)):44mΩ@4.5V,5A,工作温度:-,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):760pF@15V,输出电容(Coss):140pF,输出电容(Coss):45pF,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@4.5V,5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF@15V | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.483/个 |
| 50+ | ¥1.176/个 |
| 150+ | ¥1.0448/个 |
| 500+ | ¥0.881/个 |
| 3000+ | ¥0.705/个 |
| 6000+ | ¥0.662/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.649
3000 PCS/盘
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