反向传输电容(Crss):171pF@15V,导通电阻(RDS(on)):0.025Ω@10V,38.8A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):81.5nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):3.75W,输入电容(Ciss):6201pF@15V,连续漏极电流(Id):35A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 171pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.025Ω@10V,38.8A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 81.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 3.75W | |
输入电容(Ciss) | 6201pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 35A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.802/个 |
50+ | ¥1.424/个 |
150+ | ¥1.262/个 |
500+ | ¥1.06/个 |
2500+ | ¥0.872/个 |
5000+ | ¥0.818/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.80224
2500 PCS/盘
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