反向传输电容(Crss):120pF@30V,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):85W,输入电容(Ciss):2050pF@30V,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 120pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,20A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 85W | |
输入电容(Ciss) | 2050pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.0556/个 |
50+ | ¥0.913/个 |
150+ | ¥0.852/个 |
500+ | ¥0.775/个 |
2500+ | ¥0.741/个 |
5000+ | ¥0.721/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.721
2500 PCS/盘
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