反向传输电容(Crss):23pF@15V,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@10V,8A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):34.7W,输入电容(Ciss):890pF@15V,输出电容(Coss):58pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,8A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF@15V | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.188/个 |
| 50+ | ¥0.936/个 |
| 150+ | ¥0.828/个 |
| 500+ | ¥0.693/个 |
| 2500+ | ¥0.596/个 |
| 5000+ | ¥0.56/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.54832
2500 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉119.2元