反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,15.9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):67nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):164W,输入电容(Ciss):2895pF@400V,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,15.9A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 164W | |
| 输入电容(Ciss) | 2895pF@400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥16.68/个 |
| 10+ | ¥14.12/个 |
| 30+ | ¥11.91/个 |
| 90+ | ¥10.27/个 |
| 510+ | ¥9.53/个 |
| 990+ | ¥9.21/个 |
整盘
单价
整盘单价¥10.9572
30 PCS/盘
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