反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.11Ω@10V,12.7A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):118nC@480V,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):277.8W,输入电容(Ciss):3240pF@100V,连续漏极电流(Id):31.2A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.11Ω@10V,12.7A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@480V | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 耗散功率(Pd) | 277.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 3240pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥13.42/个 |
| 10+ | ¥12.71/个 |
| 30+ | ¥12.28/个 |
| 90+ | ¥11.85/个 |
| 510+ | ¥11.65/个 |
| 990+ | ¥11.56/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.342
30 PCS/盘
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