反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.11Ω@10V,12.7A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):118nC@480V,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):277.8W,输入电容(Ciss):3240pF@100V,连续漏极电流(Id):31.2A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.11Ω@10V,12.7A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 118nC@480V | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
耗散功率(Pd) | 277.8W | |
输入电容(Ciss) | 3240pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 31.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥19.01/个 |
10+ | ¥16.14/个 |
30+ | ¥14.44/个 |
90+ | ¥12.71/个 |
510+ | ¥11.92/个 |
990+ | ¥11.56/个 |
整盘
单价
整盘单价¥13.2848
30 PCS/盘
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