反向传输电容(Crss):215pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.07Ω@10V,25.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):170nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):391W,输入电容(Ciss):3800pF@100V,连续漏极电流(Id):53A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.07Ω@10V,25.8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 391W | |
| 输入电容(Ciss) | 3800pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥32.57/个 |
| 10+ | ¥27.6/个 |
| 30+ | ¥24.64/个 |
| 90+ | ¥21.66/个 |
| 480+ | ¥20.28/个 |
| 960+ | ¥19.66/个 |
整盘
单价
整盘单价¥22.6688
30 PCS/盘
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