导通电阻(RDS(on)):37mΩ@10V,29.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):121nC@10V,漏源电压(Vdss):-,耗散功率(Pd):255W,输入电容(Ciss):5243pF@400V,连续漏极电流(Id):48A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V,29.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 255W | |
| 输入电容(Ciss) | 5243pF@400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥28.24/个 |
| 10+ | ¥24.12/个 |
| 30+ | ¥21.67/个 |
| 90+ | ¥19.2/个 |
| 510+ | ¥18.06/个 |
| 990+ | ¥17.54/个 |
整盘
单价
整盘单价¥19.9364
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