反向传输电容(Crss):1.7pF@25V,导通电阻(RDS(on)):96mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):54nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):540W,输入电容(Ciss):3000pF@25V,输出电容(Coss):2160pF,连续漏极电流(Id):34A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.7pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 96mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 540W | |
| 输入电容(Ciss) | 3000pF@25V | |
| 输出电容(Coss) | 2160pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥29.15/个 |
| 10+ | ¥24.98/个 |
| 30+ | ¥22.51/个 |
| 100+ | ¥20/个 |
| 500+ | ¥18.84/个 |
| 1000+ | ¥18.32/个 |
| 2000+ | ¥18.09/个 |
| 4000+ | ¥18.09/个 |
整盘
单价
整盘单价¥20.7092
30 PCS/盘
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