导通电阻(RDS(on)):330mΩ@10V,10A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):63nC@10V,漏源电压(Vdss):850V,耗散功率(Pd):540W,输入电容(Ciss):1660pF@25V,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):5.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V,10A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 850V | |
耗散功率(Pd) | 540W | |
输入电容(Ciss) | 1660pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥25.6/个 |
10+ | ¥21.67/个 |
30+ | ¥20.98/个 |
100+ | ¥18.62/个 |
500+ | ¥17.53/个 |
1000+ | ¥17.04/个 |
整盘
单价
整盘单价¥19.3016
30 PCS/盘
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