反向传输电容(Crss):33pF@42.5V,导通电阻(RDS(on)):4.9mΩ@10V,50A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):64nC@10V,漏源电压(Vdss):85V,耗散功率(Pd):189W,输入电容(Ciss):4027pF@42.5V,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 33pF@42.5V | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V,50A | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 85V | |
耗散功率(Pd) | 189W | |
输入电容(Ciss) | 4027pF@42.5V | |
连续漏极电流(Id) | 120A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.01/个 |
10+ | ¥3.31/个 |
50+ | ¥2.55/个 |
100+ | ¥2.2/个 |
500+ | ¥1.99/个 |
1000+ | ¥1.88/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.346
50 PCS/盘
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