导通电阻(RDS(on)):3.7mΩ@10V,50A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):227W,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V,50A | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 227W | |
连续漏极电流(Id) | 120A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.16/个 |
10+ | ¥3.34/个 |
30+ | ¥2.92/个 |
100+ | ¥2.52/个 |
500+ | ¥2.32/个 |
1000+ | ¥2.19/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.0219
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