反向传输电容(Crss):115pF,导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ@10V,15A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):1200pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 115pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,15A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 60W | |
输入电容(Ciss) | 1200pF | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.72/个 |
50+ | ¥0.576/个 |
150+ | ¥0.504/个 |
500+ | ¥0.45/个 |
2500+ | ¥0.383/个 |
5000+ | ¥0.361/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.35236
2500 PCS/盘
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