反向传输电容(Crss):675pF,导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):123W,输入电容(Ciss):6010pF,连续漏极电流(Id):190A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 675pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V,30A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 123W | |
输入电容(Ciss) | 6010pF | |
连续漏极电流(Id) | 190A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.44/个 |
10+ | ¥3.57/个 |
50+ | ¥3.14/个 |
100+ | ¥2.71/个 |
500+ | ¥2.46/个 |
1000+ | ¥2.32/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.8888
50 PCS/盘
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