反向传输电容(Crss):175pF@30V,导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ@10V,35A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):2900pF@30V,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 175pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V,35A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 2900pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 70A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.65/个 |
10+ | ¥2.07/个 |
50+ | ¥1.82/个 |
100+ | ¥1.51/个 |
500+ | ¥1.37/个 |
1000+ | ¥1.29/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.6744
50 PCS/盘
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