反向传输电容(Crss):7.5pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.8Ω@10V,3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):14nC@200V,漏源电压(Vdss):400V,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):490pF,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 7.5pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.8Ω@10V,3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 14nC@200V | |
漏源电压(Vdss) | 400V | |
耗散功率(Pd) | 75W | |
输入电容(Ciss) | 490pF | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.654/个 |
10+ | ¥1.326/个 |
50+ | ¥1.186/个 |
100+ | ¥1.0108/个 |
500+ | ¥0.933/个 |
1000+ | ¥0.886/个 |
2000+ | ¥0.876/个 |
4000+ | ¥0.87/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.09112
50 PCS/盘
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