反向传输电容(Crss):35pF@15V,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@10V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10.8nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1200mW,耗散功率(Pd):6.94W,输入电容(Ciss):435pF@15V,连续漏极电流(Id):7.6A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 35pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10.8nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1200mW | |
耗散功率(Pd) | 6.94W | |
输入电容(Ciss) | 435pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.85/个 |
50+ | ¥0.67/个 |
150+ | ¥0.58/个 |
500+ | ¥0.512/个 |
3000+ | ¥0.458/个 |
6000+ | ¥0.431/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.42136
3000 PCS/盘
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