反向传输电容(Crss):72pF,导通电阻(RDS(on)):0.27Ω@10V,8.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):119nC@400V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):190W,输入电容(Ciss):2600pF@25V,连续漏极电流(Id):17A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 72pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.27Ω@10V,8.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 119nC@400V | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
耗散功率(Pd) | 190W | |
输入电容(Ciss) | 2600pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 17A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥17.56/个 |
10+ | ¥14.98/个 |
50+ | ¥13.37/个 |
100+ | ¥11.72/个 |
500+ | ¥10.98/个 |
1000+ | ¥10.66/个 |
整盘
单价
整盘单价¥12.3004
50 PCS/盘
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