反向传输电容(Crss):32pF,导通电阻(RDS(on)):1.2Ω@10V,4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):48nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):1370pF,输出电容(Coss):143pF,连续漏极电流(Id):7.5A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 输入电容(Ciss) | 1370pF | |
| 输出电容(Coss) | 143pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥25.33/个 |
| 10+ | ¥24.74/个 |
| 30+ | ¥23.28/个 |
| 100+ | ¥22.89/个 |
| 102+ | ¥22.89/个 |
| 104+ | ¥22.89/个 |
整盘
单价
整盘单价¥21.852
1000 PCS/盘
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