反向传输电容(Crss):0.6pF,导通电阻(RDS(on)):0.62Ω@10V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):1370pF,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.62Ω@10V,6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输入电容(Ciss) | 1370pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥20.55/个 |
| 10+ | ¥17.24/个 |
| 30+ | ¥15.16/个 |
| 100+ | ¥13.04/个 |
| 500+ | ¥12.08/个 |
| 1000+ | ¥11.66/个 |
整盘
单价
整盘单价¥13.9472
30 PCS/盘
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