反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):0.04Ω@10V,34A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):118nC@480V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):450W,输入电容(Ciss):5200pF,连续漏极电流(Id):68A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.04Ω@10V,34A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@480V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 450W | |
| 输入电容(Ciss) | 5200pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥23.4/个 |
| 10+ | ¥20.42/个 |
| 30+ | ¥17.2/个 |
| 100+ | ¥15.41/个 |
| 500+ | ¥14.58/个 |
| 1000+ | ¥14.21/个 |
整盘
单价
整盘单价¥15.824
30 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉41.28元