反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):0.04Ω@10V,34A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):118nC@480V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):450W,输入电容(Ciss):5200pF,连续漏极电流(Id):68A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.04Ω@10V,34A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 118nC@480V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 450W | |
输入电容(Ciss) | 5200pF | |
连续漏极电流(Id) | 68A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥25.94/个 |
10+ | ¥22.51/个 |
30+ | ¥18.8/个 |
100+ | ¥16.74/个 |
500+ | ¥15.79/个 |
1000+ | ¥15.36/个 |
整盘
单价
整盘单价¥17.296
30 PCS/盘
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