导通电阻(RDS(on)):1.5Ω@10V,3.1A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):140W,连续漏极电流(Id):6.2A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,3.1A | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
耗散功率(Pd) | 140W | |
连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥15.88/个 |
10+ | ¥13.58/个 |
30+ | ¥12.14/个 |
90+ | ¥10.67/个 |
510+ | ¥10/个 |
1200+ | ¥9.71/个 |
1800+ | ¥9.6/个 |
4200+ | ¥9.52/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.1688
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