反向传输电容(Crss):68pF@15V,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@2.7V,3A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11.5nC@16V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):640pF@15V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):0.6V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 68pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.7V,3A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@16V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 640pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.6V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.385/个 |
10+ | ¥2.407/个 |
30+ | ¥1.821/个 |
100+ | ¥1.589/个 |
500+ | ¥1.45/个 |
1000+ | ¥1.38/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.38
2500 PCS/盘