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STD18N65M5
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STD18N65M5
- 商品编号
- C457499
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):220mΩ@10V,7.5A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):31nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):1240pF@100V,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,7.5A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 输入电容(Ciss) | 1240pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥22.05/个 |
| 10+ | ¥21.63/个 |
| 30+ | ¥21.35/个 |
| 100+ | ¥21.07/个 |
| 102+ | ¥21.07/个 |
| 104+ | ¥21.07/个 |
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