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STD8N60DM2
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STD8N60DM2
- 商品编号
- C457504
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):0.89pF,导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13.5nC@480V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):85W,输入电容(Ciss):449pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.89pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@480V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 输入电容(Ciss) | 449pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.0852/个 |
| 10+ | ¥4.318/个 |
| 30+ | ¥3.165/个 |
| 100+ | ¥2.732/个 |
| 500+ | ¥2.539/个 |
| 1000+ | ¥2.456/个 |
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整盘单价¥2.456
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