反向传输电容(Crss):80pF@50V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@7V,15A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):42nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):2200pF@50V,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@7V,15A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2200pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.42/个 |
| 10+ | ¥3.33/个 |
| 30+ | ¥3.27/个 |
| 100+ | ¥3.21/个 |
| 102+ | ¥3.21/个 |
| 104+ | ¥3.21/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.18
2500 PCS/盘
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