反向传输电容(Crss):214pF@400V,导通电阻(RDS(on)):360mΩ@10V,2.7A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):22W,输入电容(Ciss):555pF@400V,连续漏极电流(Id):26A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 214pF@400V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,2.7A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 输入电容(Ciss) | 555pF@400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.46/个 |
| 10+ | ¥4.48/个 |
| 50+ | ¥3.62/个 |
| 100+ | ¥3.14/个 |
| 500+ | ¥2.85/个 |
| 1000+ | ¥2.7/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.3304
50 PCS/盘
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