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IPD65R650CE
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPD65R650CE
- 商品编号
- C459168
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.00045千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):30pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.65Ω@10V,2.1A,工作温度:-40℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):86W,输入电容(Ciss):440pF@100V,连续漏极电流(Id):10.1A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.65Ω@10V,2.1A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 耗散功率(Pd) | 86W | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.4/个 |
| 10+ | ¥2.7/个 |
| 30+ | ¥2.36/个 |
| 100+ | ¥2.02/个 |
| 500+ | ¥1.81/个 |
| 1000+ | ¥1.7/个 |
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