IGBT类型:NPT(非穿通型),关断延迟时间(Td(off)):276ns,关断损耗(Eoff):4.63mJ,反向传输电容(Cres):0.41nF,反向恢复时间(Trr):-,导通损耗(Eon):4.07mJ,工作温度:-40℃~+125℃,开启延迟时间(Td(on)):75ns,栅极电荷量(Qg):1.08uC,栅极阈值电压(Vge(th)):4.9V@4.0mA,耗散功率(Pd):657W,输入电容(Cies):6.75nF,输出电容(Coes):-,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):3.55V@100A,15V,集电极电流(Ic):135A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 276ns | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.63mJ | |
| 反向传输电容(Cres) | 0.41nF | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 导通损耗(Eon) | 4.07mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 75ns | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.08uC | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.9V@4.0mA | |
| 耗散功率(Pd) | 657W | |
| 输入电容(Cies) | 6.75nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1200V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.55V@100A,15V | |
| 集电极电流(Ic) | 135A |