反向传输电容(Crss):8.3pF,导通电阻(RDS(on)):12mΩ@10V,58A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):203nC@10V,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):556W,输入电容(Ciss):9915pF,连续漏极电流(Id):128A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8.3pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,58A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 203nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 250V | |
耗散功率(Pd) | 556W | |
输入电容(Ciss) | 9915pF | |
连续漏极电流(Id) | 128A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥31.87/个 |
10+ | ¥27.31/个 |
25+ | ¥24.6/个 |
100+ | ¥21.86/个 |
500+ | ¥20.59/个 |
1000+ | ¥20.03/个 |
整盘
单价
整盘单价¥22.632
25 PCS/盘
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