工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):100@2A,2V,耗散功率(Pd):730mW,集射极击穿电压(Vceo):40V,集射极饱和电压(VCE(sat)):225mV,集电极截止电流(Icbo):50uA,集电极电流(Ic):2A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@2A,2V | |
耗散功率(Pd) | 730mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 225mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
集电极电流(Ic) | 2A |