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2DB1184Q-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- 2DB1184Q-13
- 商品编号
- C460639
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.00036千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):-,直流电流增益(hFE):120@0.5A,3V,耗散功率(Pd):1.2W,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1V,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):3A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 120@0.5A,3V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集电极电流(Ic) | 3A |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.249/个 |
| 50+ | ¥1.0801/个 |
| 150+ | ¥1.0077/个 |
| 500+ | ¥0.917/个 |
| 2500+ | ¥0.877/个 |
| 5000+ | ¥0.853/个 |
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