反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):0.7Ω@1.8V,350mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):150pF,连续漏极电流(Id):540mA,阈值电压(Vgs(th)):0.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.7Ω@1.8V,350mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 150pF | |
连续漏极电流(Id) | 540mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.72/个 |
50+ | ¥0.561/个 |
150+ | ¥0.482/个 |
500+ | ¥0.422/个 |
3000+ | ¥0.374/个 |
6000+ | ¥0.351/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.351
3000 PCS/盘
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