反向传输电容(Crss):108pF@10V,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@4.5V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10.5nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):755pF@10V,连续漏极电流(Id):65A,阈值电压(Vgs(th)):2.1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 108pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 755pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 65A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.662/个 |
10+ | ¥1.323/个 |
30+ | ¥1.177/个 |
100+ | ¥0.996/个 |
500+ | ¥0.915/个 |
1000+ | ¥0.866/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.79672
3000 PCS/盘
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