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DMN53D0LW-7
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN53D0LW-7
- 商品编号
- C461030
- 商品封装
- SOT-323
- 商品毛重
- 0.000014千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):3.9pF,导通电阻(RDS(on)):0.73Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.77Ω@5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.2nC@10V,栅极电荷量(Qg):0.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):50V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):420mW,输入电容(Ciss):45.8pF,输出电容(Coss):5.3pF,连续漏极电流(Id):360mA,连续漏极电流(Id):250mA,阈值电压(Vgs(th)):0.8V@100uA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@100uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.73Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.77Ω@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 420mW | |
| 输入电容(Ciss) | 45.8pF | |
| 输出电容(Coss) | 5.3pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 360mA | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V@100uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.354/个 |
| 100+ | ¥0.28/个 |
| 300+ | ¥0.243/个 |
| 3000+ | ¥0.216/个 |
| 6000+ | ¥0.193/个 |
| 9000+ | ¥0.182/个 |
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