反向传输电容(Crss):516pF,导通电阻(RDS(on)):5.8mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):7.3mΩ@2.5V,导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):47nC@8V,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):0.9W,输入电容(Ciss):2475pF,输出电容(Coss):747pF,连续漏极电流(Id):26A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 516pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@2.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@8V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.9W | |
| 输入电容(Ciss) | 2475pF | |
| 输出电容(Coss) | 747pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.436/个 |
| 50+ | ¥1.113/个 |
| 150+ | ¥0.975/个 |
| 500+ | ¥0.802/个 |
| 3000+ | ¥0.725/个 |
| 6000+ | ¥0.679/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.679
3000 PCS/盘
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