反向传输电容(Crss):4.9pF,导通电阻(RDS(on)):1.3Ω@1.8V,150mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):0.55nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):230mW,输入电容(Ciss):47pF@16V,连续漏极电流(Id):430mA,阈值电压(Vgs(th)):0.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@1.8V,150mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.55nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 230mW | |
输入电容(Ciss) | 47pF@16V | |
连续漏极电流(Id) | 430mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.464/个 |
100+ | ¥0.371/个 |
300+ | ¥0.325/个 |
3000+ | ¥0.29/个 |
6000+ | ¥0.262/个 |
9000+ | ¥0.248/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.2668
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