反向传输电容(Crss):145pF,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@2.5V,4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):15.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.89W,输入电容(Ciss):1610pF,连续漏极电流(Id):6.04A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V,4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.4nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.89W | |
| 输入电容(Ciss) | 1610pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.04A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.673/个 |
| 10+ | ¥1.498/个 |
| 30+ | ¥1.421/个 |
| 100+ | ¥1.323/个 |
| 500+ | ¥1.211/个 |
| 1000+ | ¥1.183/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.183
2500 PCS/盘